英诺赛科及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司已向苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司，涉及两项关于氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法的专利。英诺苏州为专利权人，并已许可英诺赛科使用。被告二为被告一的全资子公司，是英飞凌中文网站的备案主体，展示、宣传并许诺销售氮化镓半导体器件。被告一为侵权产品进口商和总经销商，被告三为增值分销商。经比对，原告认为三被告未经允许实施了侵权行为，要求停止侵权并赔偿。

此次诉讼旨在保护英诺赛科的专利权，维护公司合法权益。