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06月29日三星在年度技术日展示其最新的硅技术

导读 先进半导体技术的全球领导者三星电子在其 2019 年科技日活动中展示了先进的内存和系统逻辑设备。为了推动 5G、人工智能、云、边缘、物联...

先进半导体技术的全球领导者三星电子在其 2019 年科技日活动中展示了先进的内存和系统逻辑设备。为了推动 5G、人工智能、云、边缘、物联网和自动驾驶汽车技术的未来,三星强调了新的处理器和存储设备功能。该公司推出了 Exynos 990 高级移动处理器、支持 5G 的 Exynos 调制解调器 5123,并宣布量产其第三代 10nm 级 1z-nm DRAM。

“三星专注于利用最先进的半导体技术来推动关键市场的创新,”三星半导体总裁 JS Choi 表示。“从完美适用于现实世界 5G 和 AI 的 System LSI 设备,到处理关键任务和卸载 CPU 工作负载的高级固态驱动器 (SSD),我们决心提供基础设施功能,这些功能旨在支持每一个创新浪潮。”

新技术公告包括:

Exynos 990 和 5G Exynos 调制解调器 5123:通过双核神经处理单元 (NPU) 和每秒可执行超过 10 万亿次运算的增强型数字信号处理器 (DSP),在设备上提供前所未有的 AI 驱动用户体验。Exynos 990 和 5G Exynos Modem 5123 采用了迄今为止最先进的芯片制造技术,采用了使用极紫外 (EUV) 光刻技术的 7 纳米 (nm) 工艺。

第三代 10 纳米级 (1z-nm) DRAM:自 9 月份量产以来,提供业界最高的性能、能效和容量。1z-nm DRAM 针对高端服务器平台开发进行了优化,最早将于明年年初为 DDR5、LPDDR5、HBM2E 和 GDDR6 产品等前沿内存解决方案阵容打开大门。

12GB LPDDR4X uMCP(基于UFS的多芯片封装):将四颗24Gb LPDDR4X芯片和一个超快eUFS 2.1 NAND存储组合到一个封装中,突破了目前中端智能手机8GB封装的限制,并带来超过10GB的内存更广阔的智能手机市场。

三星还提出了下一代内存技术的新商业可能性,包括该公司的第 7 代 V-NAND,具有近 200 (1yy) 个单元层,用于移动和其他高级内存解决方案,以及用于未来服务器和存储的下一代 PCIe Gen5 SSD应用程序。

三星第三届年度技术日邀请了硅谷的领先公司,展示了客户在 GPU、PCIe Gen4 和 HBM2e 技术方面的合作、行业领先的客户小组以及展示家庭自动化、数据中心、移动/5G 和汽车未来的演示馆技术。

“5G、边缘计算和人工智能技术进步的激增正在以指数级的速度改变世界。人工智能的影响将无处不在,从新的沟通渠道到前所未有的联系。人工智能的影响将无处不在。自动驾驶汽车将驶上我们的道路,家庭和企业将真正实现互联,”Choi 说。“要实现此类创新,技术基础设施必须处于领先地位。三星致力于成为所有这些创新的核心——看到世界可以做什么将会很有趣。”