在HotChips 33 上，三星宣布已开发出业界首款以高达 7.2 Gbps 的引脚速度运行的 512 GB DDR5 内存模块。

三星推出具有 512 GB 容量的超快 DDR5-7200 内存模块，将于今年晚些时候投入量产

三星提出的DDR5内存方案在性能、速度、容量、功耗四个方面比DDR4有提升。正如三星所指出的，数据中心领域对增加容量和性能的需求持续不断。凭借 DDR5 DRAM，三星将事情提升到一个新的水平。

三星为数据中心领域开发了最后一次迭代的 DDR5 内存模块，其容量为 512 GB。这是通过实施具有 8-Hi TSV(硅通孔)堆栈的 8 堆栈 DRAM 设计来实现的。堆栈尺寸为 1.0 毫米高，内存模块上共有 20 个堆栈，分为两个主要通道。DDR5 TSV 堆栈还通过薄晶圆处理技术将芯片之间的间隙减少了 40%。还实施了一些关键技术，例如 TSV 的无错误互连以及具有更低气流阻抗的更好冷却能力。

三星还吹捧最快的内存速度，DDR5 在 1.1V 电压下达到 7200 Mbps。整体改进包括 40% 的性能提升、2.2 倍的速度提升、两倍的内存容量以及 DDR4 电压的 0.92 倍。与 DDR4 相比，DDR5 的总线效率提高了 18%。更高的效率是通过 PMIC(片内电源管理)实现的。PMIC 减少了低电压操作的鼻子，三星还使用了高 K 金属栅极工艺，这是 EDP(电子数据处理)DRAM 的第一个工艺。

数据中心内存的一些特性还包括片上 ECC、改进的误码率，从而实现更可靠和安全的数据处理。三星表示它并没有停留在 512 GB DDR5。他们还暗示了用于下一代服务器的 TB 容量 DDR5 内存模块，他们预计到 2023-2024 年 DDR5 将成为主流计算标准。