iPhone被曝要用QLC闪存

7月25日的资讯显示，集邦咨询的最新市场研究报告透露，苹果公司正考虑在未来iPhone产品中采用QLC NAND闪存技术。这项技术预计最早将于2026年实施，有望使iPhone的最大内置存储容量达到2TB。

QLC NAND，即Quad-level cells，是一种高级闪存技术，每个单元能存储4比特数据，相较于TLC NAND，存储密度提升了33%。尽管QLC NAND在应对频繁写入操作时可能存在局限性，但因其高密度存储特性，非常适合大容量存储场景。苹果意在借此提升iPhone的存储潜力，以适应不断增长的数据存储需求。据集邦咨询预测，苹果正加快QLC NAND技术的部署步伐，旨在将iPhone内置存储提升至2TB级别。

此外，苹果还着眼于利用NAND闪存技术来存储大型语言模型，旨在设备端实现更多人工智能任务的处理。转向QLC NAND闪存或将增强Apple Intelligence的功能，使其在执行复杂AI计算任务时更为高效。